RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMB 8GB
Comparez
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMB 8GB
Note globale
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Note globale
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMB 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMB 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
19
49
Autour de -158% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
19
10
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.7
8.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMB 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
49
19
Vitesse de lecture, GB/s
10.0
19.0
Vitesse d'écriture, GB/s
8.2
12.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2116
3110
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB Comparaison des RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMB 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMB 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMK64GX4M8B3200C16 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link