RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Comparez
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Note globale
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Note globale
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
49
Autour de -81% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
24.7
10
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
19.9
8.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
49
27
Vitesse de lecture, GB/s
10.0
24.7
Vitesse d'écriture, GB/s
8.2
19.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2116
4174
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB Comparaison des RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FD 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9965662-018.A00G 32GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9905624-045.A00G 8GB
Samsung M378B1G73QH0-YK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link