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Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Comparez
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Note globale
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Note globale
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Différences
Spécifications
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Raisons de considérer
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
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Raisons de considérer
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
49
Autour de -58% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.3
10
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.0
8.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
49
31
Vitesse de lecture, GB/s
10.0
17.3
Vitesse d'écriture, GB/s
8.2
14.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2116
3112
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB Comparaison des RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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