RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
Comparez
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
Note globale
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Note globale
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
34
49
Autour de -44% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.1
10
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.6
8.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
49
34
Vitesse de lecture, GB/s
10.0
17.1
Vitesse d'écriture, GB/s
8.2
13.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2116
3083
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB Comparaison des RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Avant Technology J644GU44J9266NF 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMK32GX4M4K4333C19 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FGM 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Kingston 9965600-005.A00G 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3600C16 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link