RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Comparez
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Note globale
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Note globale
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
49
65
Autour de 25% latence réduite
Raisons de considérer
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.8
10
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.5
8.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
49
65
Vitesse de lecture, GB/s
10.0
15.8
Vitesse d'écriture, GB/s
8.2
8.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2116
1932
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB Comparaison des RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Corsair CMK32GX4M4B4000C19 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C16 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HB5N-DI 8GB
Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 9905713-030.A00G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CM4B8G4J2400A16K2-ON 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link