RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Comparez
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Note globale
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Note globale
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
49
Autour de -69% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.4
10
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.8
8.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
49
29
Vitesse de lecture, GB/s
10.0
17.4
Vitesse d'écriture, GB/s
8.2
12.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2116
3113
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB Comparaison des RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMK32GX4M4K3600C16 8GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A2933C19 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905734-073.A00G 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Kingston KHX2666C13D4/8GX 8GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C13 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZ20B 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston 9905624-043.A00G 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link