RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Comparez
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Note globale
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Note globale
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
38
49
Autour de -29% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.5
10
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.9
8.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
10600
Autour de 2.42 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
49
38
Vitesse de lecture, GB/s
10.0
16.5
Vitesse d'écriture, GB/s
8.2
10.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
25600
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2116
2829
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB Comparaison des RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF-2400 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston XF875V-MIH 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston 9905700-053.A00G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link