RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
Comparez
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
Note globale
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Note globale
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
58
Autour de 53% latence réduite
Raisons de considérer
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16
11.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.0
7.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
12800
Autour de 2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
58
Vitesse de lecture, GB/s
11.8
16.0
Vitesse d'écriture, GB/s
7.3
12.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
25600
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2057
2504
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Comparaison des RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C15 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHAB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3866C18 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link