RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMW64GX4M4A2666C16 16GB
Comparez
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Corsair CMW64GX4M4A2666C16 16GB
Note globale
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Note globale
Corsair CMW64GX4M4A2666C16 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
30
Autour de 10% latence réduite
Raisons de considérer
Corsair CMW64GX4M4A2666C16 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.5
11.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.9
7.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMW64GX4M4A2666C16 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
30
Vitesse de lecture, GB/s
11.8
17.5
Vitesse d'écriture, GB/s
7.3
13.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2057
3537
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Comparaison des RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Corsair CMW64GX4M4A2666C16 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston 99U5713-001.A00G 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston KHX2400C14S4/8G 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C16 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905625-011.A00G 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Kingston 9965684-013.A00G 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905663-012.A00G 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Kingston HX432C15PB3/16G 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link