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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
Comparez
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
Note globale
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Note globale
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
Différences
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Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
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Raisons de considérer
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
27
Autour de -8% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.9
11.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
16.0
7.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
25
Vitesse de lecture, GB/s
11.8
17.9
Vitesse d'écriture, GB/s
7.3
16.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2057
3651
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905700-013.A00G 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
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