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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Comparez
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Note globale
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Note globale
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Différences
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Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
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Raisons de considérer
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
27
Autour de -4% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.5
11.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.1
7.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
26
Vitesse de lecture, GB/s
11.8
18.5
Vitesse d'écriture, GB/s
7.3
14.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2057
3596
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
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Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9965662-009.A00G 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
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