RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
Comparez
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
Note globale
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Note globale
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
67
Autour de 60% latence réduite
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.9
11.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.4
7.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
67
Vitesse de lecture, GB/s
11.8
15.9
Vitesse d'écriture, GB/s
7.3
8.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2057
1895
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Comparaison des RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Smart Modular SF464128CKHI6DFSEG 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 9965600-005.A01G 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
Qimonda 64T128021EDL3SB2 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C16 16GB
Corsair CMK32GX4M4K4133C19 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link