RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
Comparez
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
Note globale
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Note globale
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
32
Autour de 16% latence réduite
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.6
11.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.8
7.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
32
Vitesse de lecture, GB/s
11.8
16.6
Vitesse d'écriture, GB/s
7.3
13.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2057
3277
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Comparaison des RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7C0B 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3866C18 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link