RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB
Comparez
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB
Note globale
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Note globale
Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
40
Autour de 33% latence réduite
Raisons de considérer
Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.4
11.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.7
7.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
40
Vitesse de lecture, GB/s
11.8
15.4
Vitesse d'écriture, GB/s
7.3
12.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2057
2981
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Comparaison des RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB Comparaison des RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston 9905624-023.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7Z0B 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Apacer Technology 78.CAGPL.ARC0B 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Corsair CMK8GX4M2C3000C16 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link