RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Comparez
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Note globale
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Note globale
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
37
Autour de 27% latence réduite
Raisons de considérer
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.2
11.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.4
7.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
37
Vitesse de lecture, GB/s
11.8
15.2
Vitesse d'écriture, GB/s
7.3
12.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2057
2863
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Comparaison des RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Kingston 9965525-058.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFX 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z2666C16 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Apacer Technology 78.C2GFA.AF30B 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Kingston 9905678-139.A00G 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Kingston 9905743-043.A00G 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9965640-006.A01G 32GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link