RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Comparez
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Note globale
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Note globale
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
46
Autour de 41% latence réduite
Raisons de considérer
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.1
11.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.1
7.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
12800
Autour de 2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
46
Vitesse de lecture, GB/s
11.8
16.1
Vitesse d'écriture, GB/s
7.3
15.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
25600
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2057
2973
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Comparaison des RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G33 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMR64GX4M8C3200C16 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Corsair CMK64GX4M2D3000C16 32GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C15 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link