RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
Comparez
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
Note globale
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Note globale
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
81
Autour de 67% latence réduite
Raisons de considérer
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.2
11.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.9
7.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
81
Vitesse de lecture, GB/s
11.8
15.2
Vitesse d'écriture, GB/s
7.3
7.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2057
1668
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Comparaison des RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Inmos + 256MB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMK64GX4M8B2800C14 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 9905702-012.A00G 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6N1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002S 8GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link