RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
Comparez
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
Note globale
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Note globale
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
30
Autour de 10% latence réduite
Raisons de considérer
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.5
11.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.6
7.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
30
Vitesse de lecture, GB/s
11.8
16.5
Vitesse d'écriture, GB/s
7.3
12.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2057
3047
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Comparaison des RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Avant Technology W641GU48J5213ND 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston HP24D4R7D4MAM-32 32GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Hewlett-Packard 7EH67AA# 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston 9905734-062.A00G 32GB
Samsung M391B5273DH0-YK0 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
JUHOR JHD2666U1908JG 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link