RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
Comparez
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
Note globale
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Note globale
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
49
Autour de 45% latence réduite
Raisons de considérer
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.3
11.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.1
7.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
12800
Autour de 2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
49
Vitesse de lecture, GB/s
11.8
18.3
Vitesse d'écriture, GB/s
7.3
12.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
25600
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2057
2801
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Comparaison des RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB Comparaison des RAM
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Corsair CM4B16G1J2400A16K2-O 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingston KHX2400C15/16G 16GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C14 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Jinyu 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C14 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston KHX2133C14/8G 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G33 8GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link