RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Essencore Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Comparez
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Essencore Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Note globale
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Note globale
Essencore Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Essencore Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
27
Autour de -13% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17
11.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.4
7.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Essencore Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
24
Vitesse de lecture, GB/s
11.8
17.0
Vitesse d'écriture, GB/s
7.3
12.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2057
2972
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Comparaison des RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Essencore Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Elpida EBJ21UE8BFU0-DJ-F 2GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Essencore Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMK32GX4M2F4000C19 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8GKSBG 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link