RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
Comparez
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
Note globale
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Note globale
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
65
Autour de 58% latence réduite
Raisons de considérer
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17
11.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.7
7.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
65
Vitesse de lecture, GB/s
11.8
17.0
Vitesse d'écriture, GB/s
7.3
8.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2057
1875
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Comparaison des RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB Comparaison des RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FADG 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Kingston 99U5704-001.A00G 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link