RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB
Comparez
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB
Note globale
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Note globale
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.3
7.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
21
27
Autour de -29% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.1
11.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
21
Vitesse de lecture, GB/s
11.8
15.1
Vitesse d'écriture, GB/s
7.3
7.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2057
2250
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Comparaison des RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FR 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kingston 9905630-052.A00G 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link