RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Comparez
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Note globale
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Note globale
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
30
Autour de 10% latence réduite
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.2
11.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.5
7.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
30
Vitesse de lecture, GB/s
11.8
17.2
Vitesse d'écriture, GB/s
7.3
13.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2057
3157
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Comparaison des RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
AMD R748G2133U2S-UO 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link