RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Comparez
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Note globale
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Note globale
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
17
27
Autour de -59% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
21.6
11.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
17.7
7.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
17
Vitesse de lecture, GB/s
11.8
21.6
Vitesse d'écriture, GB/s
7.3
17.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2057
3702
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Comparaison des RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston 9905700-026.A00G 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14M 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
Ramaxel Technology RMT3170ME68F9F1600 4GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link