RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Comparez
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Note globale
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Note globale
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
40
Autour de 33% latence réduite
Raisons de considérer
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.5
11.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.5
7.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
40
Vitesse de lecture, GB/s
11.8
13.5
Vitesse d'écriture, GB/s
7.3
9.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2057
2254
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Comparaison des RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905630-066.A00G 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3866C18 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
AMD R748G2400U2S 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link