RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Comparez
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Note globale
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Note globale
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
32
Autour de 16% latence réduite
Raisons de considérer
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.7
11.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.7
7.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
32
Vitesse de lecture, GB/s
11.8
15.7
Vitesse d'écriture, GB/s
7.3
11.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2057
2987
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Comparaison des RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Apacer Technology D22.23263S.002 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMK8GX4M1D2666C16 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 99U5713-003.A00G 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAR 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link