RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Comparez
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Note globale
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Note globale
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
27
Autour de -17% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17
11.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.2
7.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
23
Vitesse de lecture, GB/s
11.8
17.0
Vitesse d'écriture, GB/s
7.3
13.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2057
2935
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Comparaison des RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBR2 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C16 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link