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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Comparez
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Note globale
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Note globale
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
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Raisons de considérer
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
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Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
27
Autour de -17% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17
11.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.4
7.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
12800
Autour de 2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
23
Vitesse de lecture, GB/s
11.8
17.0
Vitesse d'écriture, GB/s
7.3
13.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
25600
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2057
2936
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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