RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Comparez
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Note globale
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Note globale
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
21
27
Autour de -29% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.8
11.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.5
7.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
21
Vitesse de lecture, GB/s
11.8
18.8
Vitesse d'écriture, GB/s
7.3
13.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2057
3168
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Comparaison des RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 9905678-105.A00G 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Vasekey M378A1K43BB2-CPB 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Corsair CMK8GX4M1A2666C16 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Corsair CMD32GX4M4A2800C16 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link