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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
Comparez
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
Note globale
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Note globale
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
Différences
Spécifications
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Raisons de considérer
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
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Raisons de considérer
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
27
Autour de -4% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
19.2
11.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.8
7.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
26
Vitesse de lecture, GB/s
11.8
19.2
Vitesse d'écriture, GB/s
7.3
12.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2057
3180
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Comparaison des RAM
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Mushkin 994052 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C15 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
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Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
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