RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Avant Technology W642GU42J7240N8 16GB
Comparez
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Avant Technology W642GU42J7240N8 16GB
Note globale
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Note globale
Avant Technology W642GU42J7240N8 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Avant Technology W642GU42J7240N8 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
42
Autour de -62% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.3
10.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.4
9.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Avant Technology W642GU42J7240N8 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
42
26
Vitesse de lecture, GB/s
10.6
16.3
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
13.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2423
3132
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Comparaison des RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Avant Technology W642GU42J7240N8 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Kingston 9905744-035.A00G 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Corsair CMK32GX4M2A2800C16 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.D2GF2.AU30B 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Maxsun MSD48G30M3 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905712-008.A00G 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link