RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMK32GX4M4K4333C19 8GB
Comparez
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Corsair CMK32GX4M4K4333C19 8GB
Note globale
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Note globale
Corsair CMK32GX4M4K4333C19 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Corsair CMK32GX4M4K4333C19 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
42
Autour de -45% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.9
10.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.0
9.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMK32GX4M4K4333C19 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
42
29
Vitesse de lecture, GB/s
10.6
15.9
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
11.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2423
2838
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Comparaison des RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Corsair CMK32GX4M4K4333C19 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Super Talent F24EB8GS 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C14 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMK64GX4M2A2666C16 32GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston KHX3000C15/16GX 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kingston 9965669-031.A00G 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Kingston MSI24D4U7D8MH-16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link