RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
Comparez
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
Note globale
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Note globale
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
35
42
Autour de -20% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.2
10.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
16.8
9.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
42
35
Vitesse de lecture, GB/s
10.6
17.2
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
16.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2423
3225
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Comparaison des RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB Comparaison des RAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C16 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Avant Technology J642GU42J2320NQ 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link