RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4W.M16FE1 16GB
Comparez
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology BL16G30C15U4W.M16FE1 16GB
Note globale
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Note globale
Crucial Technology BL16G30C15U4W.M16FE1 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology BL16G30C15U4W.M16FE1 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
42
Autour de -45% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.3
10.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.2
9.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4W.M16FE1 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
42
29
Vitesse de lecture, GB/s
10.6
18.3
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
15.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2423
3721
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Comparaison des RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4W.M16FE1 16GB Comparaison des RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
Ramaxel Technology RMT3170MN68F9F1600 4GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD2 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Kingston KHX1866C9D3/4GX 4GB
Corsair CMD64GX4M8A2400C14 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link