RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FD 16GB
Comparez
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FD 16GB
Note globale
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Note globale
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FD 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FD 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
42
Autour de -31% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.6
10.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.6
9.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FD 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
42
32
Vitesse de lecture, GB/s
10.6
14.6
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
10.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2423
2457
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Comparaison des RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FD 16GB Comparaison des RAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMD64GX4M4A2400C14 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Essencore Limited KD4AGS88C-32N220D 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston X5H5PW-MIE 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3000 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
SK Hynix HMT41GR7MFR4C-PB 8GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston MSI24D4S7D8MH-16 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link