RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB
Comparez
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB
Note globale
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Note globale
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
42
Autour de -56% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.4
10.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.3
9.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
42
27
Vitesse de lecture, GB/s
10.6
18.4
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
14.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2423
3388
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Comparaison des RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMR32GX4M2D3000C16 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180Z 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Corsair CMW64GX4M4D3600C18 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Kingston KHX2666C16D4/32GX 32GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMK16GX4M2B3466C16 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFST.16FD 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link