RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
Comparez
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
Note globale
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Note globale
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
42
Autour de -62% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.5
10.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.1
9.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
42
26
Vitesse de lecture, GB/s
10.6
16.5
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
10.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2423
3025
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Comparaison des RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB Comparaison des RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMK32GX4M4C3400C16 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF-2400 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link