RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
Comparez
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
Note globale
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Note globale
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
42
43
Autour de 2% latence réduite
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.7
10.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.5
9.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
42
43
Vitesse de lecture, GB/s
10.6
16.7
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
10.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2423
2430
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Comparaison des RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9905701-029.A00G 16GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Kingston CBD24D4S7D8ME-16 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Apacer Technology D12.2326WH.001 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2666 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU5-GNL-F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Kingston 9965600-012.A02G 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link