RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Comparez
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Note globale
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Note globale
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
42
50
Autour de 16% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.0
8.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.5
10.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
42
50
Vitesse de lecture, GB/s
10.6
13.5
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
8.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2423
2424
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Comparaison des RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M8B2800C14 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Corsair CMU32GX4M2A2666C16 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMK16GX4M2D3000C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9965600-011.A01G 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-VK 32GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMK128GX4M8A2133C13 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link