RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Comparez
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Note globale
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Note globale
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
42
59
Autour de 29% latence réduite
Raisons de considérer
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.9
10.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
42
59
Vitesse de lecture, GB/s
10.6
17.9
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
9.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2423
1968
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Comparaison des RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3600 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 9905678-105.A00G 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Smart Modular SF4641G8CKHIWDFSEG 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 99U5713-001.A00G 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston 9905678-041.A00G 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Ramaxel Technology RMUA5090KE68H9F2133 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link