RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
Comparez
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
Note globale
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Note globale
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
39
42
Autour de -8% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.8
10.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.4
9.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
42
39
Vitesse de lecture, GB/s
10.6
14.8
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
10.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2423
2571
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Comparaison des RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BUYS 4GB
Mushkin 991586 2GB
Kingston 9905704-007.A00G 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hewlett-Packard 7EH61AA# 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston 9905678-041.A00G 4GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM16G 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905702-027.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Maxsun MSD48G32Q3 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link