RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
Comparez
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
Note globale
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Note globale
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
42
Autour de -31% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.5
10.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.8
9.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
42
32
Vitesse de lecture, GB/s
10.6
15.5
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
11.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2423
2858
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Comparaison des RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Samsung M391B5273DH0-YK0 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260ME78HAF-2666 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KY7N41-MID 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link