RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Essencore Limited IM48GU88N21-FFFHM 8GB
Comparez
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Essencore Limited IM48GU88N21-FFFHM 8GB
Note globale
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Note globale
Essencore Limited IM48GU88N21-FFFHM 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Essencore Limited IM48GU88N21-FFFHM 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
42
Autour de -62% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.4
10.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.1
9.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Essencore Limited IM48GU88N21-FFFHM 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
42
26
Vitesse de lecture, GB/s
10.6
14.4
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
9.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2423
2455
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Comparaison des RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Essencore Limited IM48GU88N21-FFFHM 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Essencore Limited IM48GU88N21-FFFHM 8GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMR128GX4M8Z2933C16 16GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Nanya Technology NT8GC72B4NB1NK-CG 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK16GX4M2C3333C16 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMR32GX4M4A2666C16 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
Samsung M391B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M391B1G73QH0-CK0 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston 9965600-023.A00G 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link