RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160X 16GB
Comparez
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Essencore Limited KD4AGU880-32A160X 16GB
Note globale
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Note globale
Essencore Limited KD4AGU880-32A160X 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Essencore Limited KD4AGU880-32A160X 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
42
Autour de -50% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
21.9
10.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
16.9
9.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160X 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
42
28
Vitesse de lecture, GB/s
10.6
21.9
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
16.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2423
3839
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Comparaison des RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160X 16GB Comparaison des RAM
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C15 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8X 8GB
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Kingston 9965589-024.D01G 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160X 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link