RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Comparez
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Note globale
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Note globale
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
42
71
Autour de 41% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.0
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.2
10.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
42
71
Vitesse de lecture, GB/s
10.6
16.2
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
8.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2423
1979
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Comparaison des RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB Comparaison des RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FAD 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FJ 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Crucial Technology BLS16G4D30CEST.16FD 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMR32GX4M4D3200C16 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link