RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Comparez
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Note globale
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Note globale
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
42
Autour de -56% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
22.7
10.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.9
9.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
42
27
Vitesse de lecture, GB/s
10.6
22.7
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
14.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2423
3861
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Comparaison des RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMH128GX4M4E3200C16 32GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9905711-002.A00G 4GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link