RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Comparez
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Note globale
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Note globale
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
42
Autour de -56% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.5
10.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.0
9.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
23400
10600
Autour de 2.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
42
27
Vitesse de lecture, GB/s
10.6
16.5
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
12.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
23400
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2423
3245
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Comparaison des RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link