RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Comparez
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Note globale
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.0
8.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
42
Autour de -68% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.8
10.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
42
25
Vitesse de lecture, GB/s
10.6
14.8
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
8.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2423
2542
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Comparaison des RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston X6TCK6-MIE 32GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK32GX4M4C3400C16 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMU32GX4M4A2666C16 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3733C17 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston CBD24D4S7S8ME-8 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M1Z3600C18 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK32GX4M4K4133C19 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Kingston 9965604-008.D00G 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link