RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 9905625-066.A00G 16GB
Comparez
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Kingston 9905625-066.A00G 16GB
Note globale
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Note globale
Kingston 9905625-066.A00G 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Kingston 9905625-066.A00G 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
42
Autour de -31% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.2
10.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.2
9.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 9905625-066.A00G 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
42
32
Vitesse de lecture, GB/s
10.6
15.2
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
10.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2423
2882
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Comparaison des RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Kingston 9905625-066.A00G 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 9905625-066.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMW32GX4M4A2666C16 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 9905700-013.A00G 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Apacer Technology 76.D305G.D060B 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMK32GX4M2K3600C16 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4400C19 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link