RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
Comparez
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
Note globale
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Note globale
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
42
Autour de -50% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.2
10.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.3
9.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
42
28
Vitesse de lecture, GB/s
10.6
16.2
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
12.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2423
2487
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Comparaison des RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160U 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFST.16FD 16GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMU32GX4M2A2666C16 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CMW128GX4M8C3000C16 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMK32GX4M4D3200C16 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link